[发明专利]用于将单扩散隔断并入FET器件的纳米沟道结构中的方法和器件在审
| 申请号： | 201880052644.1 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110998858A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·史密斯;安东·德维利耶 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高岩;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法，包括：提供起始结构，该起始结构包括基板，在该基板上具有多个栅极区域，所述多个栅极区域与多个源极/漏极(S/D)区域交替地布置，其中，栅极区域中的每一个包括纳米沟道结构，该纳米沟道结构具有由替代栅极包围的中间部分以及由相应的栅极间隔件包围的相对端部，使得纳米沟道结构延伸通过栅极区域的替代栅极和栅极间隔件。S/D区域中的每一个包括延伸通过S/D区域的S/D结构，以连接分别设置在S/D区域的相对侧上的第一相邻栅极区域和第二相邻栅极区域的纳米沟道结构。将第一相邻栅极区域转换成包括虚设栅极结构的单扩散隔断；以及将第二相邻栅极区域转换成包括有源栅极结构的栅极区域，该有源栅极结构被配置成在第二相邻栅极区域的纳米沟道结构内产生电流沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 扩散 隔断 并入 fet 器件 纳米 沟道 结构 中的 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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