[发明专利]具有厚度沿晶体管宽度变化的半导体层的高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201880053612.3 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111213244A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张坤好;N·乔杜里 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括半导体结构，该半导体结构包括形成异质结的覆盖层(101)和沟道层(102)，使得在覆盖层和沟道层的界面处形成二维电子气。HEMT还包括一组电极，该组电极包括沉积在覆盖层上的源极(110)、漏极(120)和栅极(130)。栅极沿着HEMT的长度布置在源极和漏极之间。覆盖层的至少在栅极下方的厚度沿着HEMT的宽度变化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 厚度 晶体管 宽度 变化 半导体 电子 迁移率 | ||
【主权项】：
暂无信息
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