[发明专利]碳化硅外延晶片有效
| 申请号： | 201880055130.1 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111051581B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 堀勉;宫濑贵也;本家翼;山本裕史;冲田恭子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;王海川 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包含：4H多型的单晶碳化硅衬底，所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向11‑20方向倾斜的主面；和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层，其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm，其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°，其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为t/tanθ的对角线缺陷的一个以上的对，并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对/cm |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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