[发明专利]使用磁感测探针和多极磁体阵列的偏轴磁角度传感器有效
申请号: | 201880055687.5 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN111051819B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 帕斯卡尔·施魏策尔;克里斯托弗·肯尼;理查德·安德鲁斯 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | G01D5/14 | 分类号: | G01D5/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曹凌;刘茜 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 装置和相关联方法涉及测量至少三个相邻磁性南北轨道的2D表面磁体阵列的位置和位移,该磁体阵列与其相对于磁场传感器(例如,磁感测探针)的运动位移成锐角。在示例性示例中,该2D表面磁体阵列的几何形状可以是平面的,具有相邻且交替的北极区域和南极区域。在一些实施方案中,该2D表面磁体阵列几何形状可以采取以下形式:(1)具有以螺旋形状定向的单独磁化层的轴向圆柱形螺旋多极磁体阵列,或者(2)具有定向为盘旋形状的至少三个相邻南北轨道的径向盘状盘旋多极磁体阵列。 | ||
搜索关键词: | 使用 测探 多极 磁体 阵列 偏轴磁 角度 传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880055687.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成像设备、再现设备、控制方法和控制系统
- 下一篇:切割刀用的刀片