[发明专利]铁电电容器、铁电场效应晶体管以及用于形成包括导电材料和铁电材料的电子装置的方法在审
申请号: | 201880056036.8 | 申请日: | 2018-07-30 |
公开(公告)号: | CN111033738A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | M·纳哈尔;A·A·恰范 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11514 | 分类号: | H01L27/11514;H01L27/11507 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 用于形成包括导电材料和铁电材料的电子装置的方法包括形成复合堆叠,所述复合堆叠包括多种含金属氧化物的绝缘体材料。所述含金属氧化物的绝缘体材料中的至少一种在非铁电绝缘材料之间并且直接抵靠非铁电绝缘材料。所述多种含金属氧化物的绝缘体材料具有与紧邻的所述非铁电绝缘体材料不同的组成。所述复合堆叠经受至少200℃的温度。在所述经受处理之后,所述复合堆叠包括多种含铁电金属氧化物的绝缘体材料,其中至少一种在非铁电绝缘材料之间并且直接抵靠非铁电绝缘材料。在所述经受处理之后,所述复合堆叠是铁电的。形成与所述复合堆叠相邻的导电材料。还公开了装置。 | ||
搜索关键词: | 电容器 电场 效应 晶体管 以及 用于 形成 包括 导电 材料 电子 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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