[发明专利]图案形成方法、离子注入方法、层叠体、试剂盒及电子器件的制造方法有效
| 申请号： | 201880056528.7 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN111095106B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 畠山直也;米久田康智;东耕平;西田阳一;藤田光宏 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08F230/04;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/075;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过本发明，可以提供一种图案形成方法及使用该图案形成方法的离子注入方法以及用于上述图案形成方法的层叠体、试剂盒、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂组合物及电子器件的制造方法，该图案形成方法包括：(1)在被处理基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；(2)利用含有(A)具有选自包括Si原子及Ti原子的组中的原子的树脂的抗蚀剂组合物，在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；(3)曝光抗蚀剂膜的工序；(4)对经曝光的抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；及(5)将抗蚀剂图案作为掩模，对抗蚀剂下层膜进行加工来形成图案的工序，该图案形成方法中，抗蚀剂下层膜的膜厚为2.5μm以上，抗蚀剂膜的膜厚为1μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 离子 注入 层叠 试剂盒 电子器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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