[发明专利]用于改善热化学气相沉积(CVD)均匀性的设备和方法有效
| 申请号： | 201880056745.6 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111066133B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 黄祖滨;程睿;K·嘉纳基拉曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;C23C16/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一方面，一种设备包括：腔室主体；区隔板，所述区隔板用于将工艺气体递送到气体混合容积中；以及面板，所述面板具有孔，混合气体通过所述孔来分布到衬底。在另一方面，所述面板可以包括第一区域，所述第一区域相对于第二区域具有凹陷部。在另一方面，所述区隔板可以包括多个区域，每个区域具有不同的孔图案/几何形状和/或流型。在另一方面，所述设备可以包括辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件设置在衬底支撑件的底部下方。所述衬底支撑件的轴或杆在其靠近所述衬底支撑件的上端处包括孔。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 热化学 沉积 cvd 均匀 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
