[发明专利]烷氧基硅杂环状或酰氧基硅杂环状化合物和使用其沉积膜的方法

摘要

提供了一种通过化学气相沉积制备多孔低k介电膜的方法和组合物。在一个方面中，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；将气体试剂引入所述反应室中，所述气体试剂包括至少一种结构形成前体而具有或不具有成孔剂，所述结构形成前体包含烷氧基硅杂环状或酰氧基硅杂环状化合物；向所述反应室中的所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应以在所述衬底上沉积初始膜，其中所述初始膜包含该成孔剂，并且所述初始膜被沉积；和从所述初始膜除去其中包含的所述成孔剂的至少一部分，并且向所述膜提供孔和3.2或更小的介电常数。在某些实施方式中，所述结构形成前体还包含硬化添加剂。