[发明专利]非对称结构的尺寸的检测与测量有效
| 申请号： | 201880057081.5 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN111095510B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | P·R·阿金斯;戴奇;列-关·里奇·利 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01D21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中提出用于执行半导体结构的非对称特征的光谱测量的方法及系统。在一个方面中，按两个或更多个方位角执行测量以确保对任意定向的非对称特征的敏感度。在波长上对与对非对称性敏感的一或多个非对角线穆勒矩阵元素相关联的光谱求积分以确定一或多个光谱响应计量。在一些实施例中，在经选择以增加信噪比的一或多个波长子区域上执行所述积分。基于所述光谱响应计量及通过传统基于光谱匹配的技术测量的临界尺寸参数确定特性化非对称特征的参数值。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 结构 尺寸 检测 测量 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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