[发明专利]高压高温退火腔室在审
| 申请号： | 201880057402.1 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111095513A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 简·德尔马斯;史蒂文·韦尔韦贝克;柯蒂斯·莱施克斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施方式涉及用于退火半导体基板的设备和方法。在一个实施方式中，披露一种批量处理腔室。批量处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体包围处理区域；气体面板，所述气体面板配置成提供处理流体至处理区域中；凝结器，所述凝结器流体连接至处理区域；和温度控制的流体回路，所述温度控制的流体回路配置成将处理流体维持在高于处理流体的凝结点的温度。处理区域被配置成在处理期间保持多个基板。凝结器被配置成将处理流体凝结成液态。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 高温 退火 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
