[发明专利]半导体器件和电位测量装置在审

专利信息
申请号: 201880057569.8 申请日: 2018-10-23
公开(公告)号: CN111066240A 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 加藤祐理 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;G01N27/414;G01R29/12;H03F3/68
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 陈桂香;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: [要解决的技术问题]本发明旨在提供能够通过减小单元电路面积来实现高分辨率的半导体器件。[技术方案]本发明提供了一种半导体器件,其包括:第一区域,在所述第一区域中以阵列形式布置有单元,各所述单元具有用于构成差分放大器的输入晶体管之中的一个输入晶体管;以及第二区域,在所述第二区域中以阵列形式布置有单元,各所述单元具有用于构成所述差分放大器的所述输入晶体管之中的另一个输入晶体管,其中所述第一区域和所述第二区域彼此分离。
搜索关键词: 半导体器件 电位 测量 装置
【主权项】:
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