[发明专利]摄像装置在审
申请号: | 201880057803.7 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN111095560A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 平濑顺司;佐藤好弘;远藤康行;纲川裕之 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/355;H04N5/361;H04N5/374 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 安香子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种摄像装置,具备:半导体基板,包括半导体区域、第1扩散区域以及第2扩散区域,上述半导体区域包含第1导电型的杂质,上述第1扩散区域与上述半导体区域相接,包含与上述第1导电型不同的第2导电型的杂质,并将入射光变换为电荷,上述第2扩散区域包含上述第2导电型的杂质,积蓄从上述第1扩散区域流入的上述电荷的至少一部分;第1晶体管,包括位于上述半导体基板上的第1栅极电极,包括上述第2扩散区域作为源极及漏极中的一方;接触插塞,与上述第2扩散区域电连接;电容元件,一端与上述接触插塞电连接;以及第2晶体管,包括位于上述半导体基板上的第2栅极电极,上述第2栅极电极与上述电容元件的上述一端电连接。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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