[发明专利]用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法有效
| 申请号： | 201880058122.2 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN111108176B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | E·库珀;S·比洛迪奥;戴雯华;杨闵杰;涂胜宏;吴幸臻;金西恩;洪性辰 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;C09K13/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述适用于湿式蚀刻包含氮化硅的微电子装置衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、适用或改进的氮化硅选择性、这些功能的组合以及任选地在蚀刻之后存在于衬底表面处的颗粒的减少。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 氮化 衬底 组合 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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