[发明专利]用于减轻图案塌陷的改善填充材料在审
| 申请号： | 201880058583.X | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111065966A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 德萨拉吉·瓦拉帕萨德;谢松元;约瑟夫·T·肯尼迪 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;C09D161/06;G03F7/20;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于防止半导体衬底中形成的图案化高纵横比特征在从该特征之间的空间移除用于清洁蚀刻残留物的类型的初始流体时发生塌陷的方法。在本方法中，空间至少部分地填充有置换溶液，诸如经由旋涂，以基本上置换初始流体。该置换溶液包括至少一种溶剂以及以苯酚‑甲醛聚合物形式的第一填充材料和/或以聚烯烃碳酸酯(PAC)形式的第二填充材料中的至少一者或其组合。然后使该溶剂挥发以便使填充材料以基本上固体形式沉积在空间内。与使用当前填充材料相比，可以经由高蚀刻速率通过已知等离子体蚀刻过程来移除填充材料，这防止或减轻了硅损失。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减轻 图案 塌陷 改善 填充 材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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