[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201880058819.X | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN111344866B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 登尾正人;石子雅康;斋藤顺 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 第2导电型的保护环(21)形成在从形成于基板(1)之上的由第1导电型的半导体构成的第1导电型层(2、60)的表面离开了的位置。由此，由保护环(21)与第1导电型层(2、60)形成的PN结的边界部成为从层间绝缘膜(10)离开的状态。因此，即使在PN结部产生电场集中，也由于层间绝缘膜(10)不与PN结部接触，因此能够抑制对层间绝缘膜(10)施加的电场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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