[发明专利]电气隔离结构和工艺在审
| 申请号： | 201880059591.6 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN111201587A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 弗朗西斯卡·亚科皮;艾什瓦尔雅·普拉迪库马尔 | 申请（专利权）人： | 悉尼科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L31/0312 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电气隔离工艺，包括：接收衬底，该衬底包括硅上富碳材料层；以及选择性地去除衬底的区域，以在硅上形成富碳材料的相互间隔的岛；其中硅上富碳材料层包括电绝缘材料上的导电硅层上的富碳材料层，并且选择性地去除衬底的区域的步骤包括从那些区域中去除富碳材料和导电硅层的至少一部分，以提供硅上富碳材料岛之间的电气隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 电气 隔离 结构 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
