[发明专利]三维竖直NAND字线的金属填充过程在审
| 申请号： | 201880059689.1 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111095488A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 劳伦斯·施洛斯;拉什纳·胡马雍;桑杰·戈皮纳特;高举文;迈克尔·达内克;凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/02;H01L21/768;H01L27/11524;H01L27/11529 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了在半导体衬底上沉积诸如钨之类的过渡金属的方法。该方法包括提供乙硼烷和余量的氢的气体混合物，其中氢用于稳定气体混合物中的乙硼烷。该方法还包括将气体混合物输送到半导体衬底以形成硼层，其中硼层用作还原剂层以将含金属的前体转化为金属，例如将含钨的前体转化为钨。在一些实现方式中，半导体衬底包含竖直结构，例如三维竖直NAND结构，其具有在竖直结构的侧壁中具有开口的水平特征或字线，其中硼层可共形地沉积在竖直结构的水平特征中。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 竖直 nand 金属 填充 过程 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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