[发明专利]具有辅助栅极结构的功率半导体器件在审
| 申请号： | 201880059804.5 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111095531A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 弗洛林·乌德雷亚;洛伊佐斯·埃夫蒂米乌;焦尔贾·隆戈巴尔迪 | 申请（专利权）人： | 剑桥企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252;H01L29/778;H01L27/06;H01L27/07;H01L27/085 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及GaN技术中的功率半导体器件。本公开提出了集成的辅助栅极端子(15)和下拉网络，以实现具有高于2V的阈值电压、低栅极泄漏电流和增强的切换性能的常断(E‑模式)GaN晶体管。高阈值电压GaN晶体管具有高压有源GaN器件(205)和低压辅助GaN器件(210)，其中高压GaN器件具有连接到集成辅助低压GaN晶体管的源极的栅极和为外部高压漏极端子的漏极以及为外部源极端子的源极，而低压辅助GaN晶体管具有连接到用作外部栅极端子的漏极(第二辅助电极)的栅极(第一辅助电极)。在其他实施例中，用于断开高阈值电压GaN晶体管的下拉网络由二极管、电阻器或与低压辅助GaN晶体管并联连接的两者的并联连接来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辅助 栅极 结构 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
