[发明专利]保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201880059994.0 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111093986B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 小桥力也;稻男洋一 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/00 | 分类号： | B32B27/00;H01L21/301;H01L23/00;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片中的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该树脂成分(X)的HSP的极性项δ |
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| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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