[发明专利]利用切割技术移除衬底的方法在审
| 申请号： | 201880060140.4 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN111095483A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;S·甘德瑞蒂拉;李鸿渐 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/02;H01S5/02;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用切割技术从III族氮化物基半导体层移除衬底的方法。在衬底上或上方形成生长限制掩模，且使用所述生长限制掩模在所述衬底上或上方生长一或多个III族氮化物基半导体层。将所述III族氮化物基半导体层键合到支撑衬底或膜，且在所述衬底的表面上使用切割技术从所述衬底移除所述III族氮化物基半导体层。在从所述衬底移除所述III族氮化物基半导体层之前，由于所述III族氮化物系衬底与键合到所述III族氮化物基半导体层的所述支撑衬底或膜之间的热膨胀差异，可向所述III族氮化物基半导体层施加应力。一旦移除，所述衬底便可被回收，从而节省用于器件制作的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 切割 技术 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加利福尼亚大学董事会，未经加利福尼亚大学董事会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880060140.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
