[发明专利]具有沿公共水平层级的晶体管和电容器的装置以及形成装置的方法有效
| 申请号： | 201880060496.8 | 申请日： | 2018-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN111095556B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | F·D·菲什伯恩 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10B80/00;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例包含具有交替的第一层级和第二层级的堆叠的组合件。所述第一层级是绝缘层级。所述第二层级是具有集成装置的装置层级。所述集成装置中的每一者具有与相关联电容器耦合的晶体管，并且所述电容器从所述晶体管水平地偏移。所述晶体管具有半导体沟道材料，并且具有沿所述半导体沟道材料的晶体管栅极。所述晶体管中的每一者具有沿所述半导体沟道材料的一侧并且与所述相关联电容器耦合的第一源极/漏极区，并且具有第二源极/漏极区。字线沿所述装置层级水平延伸并且与所述晶体管栅极耦合。数字线垂直地延伸穿过所述装置层级并且与所述第二源极/漏极区耦合。一些实施例包含形成集成结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 公共 水平 层级 晶体管 电容器 装置 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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