[发明专利]纳米孔测序单元中的双电层电容的测量在审
| 申请号： | 201880060869.1 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111212919A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | J.科玛迪纳;P.帕瓦兰德 | 申请（专利权）人： | 豪夫迈·罗氏有限公司 |
| 主分类号： | C12Q1/6869 | 分类号： | C12Q1/6869;G01N33/487 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;李唐 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 技术涉及测量测序单元的双电层电容。在某些实施方案中，在测序单元中的井上方形成膜之前测量双电层电容。将双电层电容器预充电到初始电压水平。使用具有已知电容值的电容器将双电层电容器反复充电或放电。使用双电层电容器的充电或放电率测定双电层电容。在一些实施方案中，在形成双层和纳米孔后测量双电层电容。将双电层电容器预充电到初始电压水平。然后对测序单元施加不同于初始电压水平的电压水平。使用与双电层电容器上的电压水平的衰减相关联的计时测定双电层电容。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 孔测序 单元 中的 双电层 电容 测量 | ||
【主权项】：
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