[发明专利]存储装置中的磁穿隧结和形成磁穿隧结的方法有效
| 申请号： | 201880061129.X | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111108618B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 真杰诺;裘地·玛丽·艾维塔;童儒颖;刘焕龙;李元仁;朱健 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
公开一种磁穿隧结(MTJ)，其中自由层(FL)与金属氧化物(Mox)层和隧道位障层相接以产生界面垂直磁异向性(PMA)。金属氧化物层具有非化学计量的氧化态以使寄生电阻降至最低，并包含掺质以填充空的晶格位置，藉此阻挡氧扩散通过金属氧化物层，以在工艺温度高达400℃的情况下保持界面垂直磁异向性和高热稳定性。形成掺杂的金属氧化物层的各种方法包含在气体形式的掺质和O |
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| 搜索关键词： | 存储 装置 中的 磁穿隧结 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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