[发明专利]使用原子层沉积和蚀刻减小孔隙直径的方法在审
| 申请号： | 201880061487.0 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111133561A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·R·约翰逊;大野健一 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027;H01L21/02;G03F7/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供通过循环工艺制造良好控制的固态纳米孔和良好控制的固态纳米孔阵列的方法，所述循环工艺包括原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)或化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)、以及蚀刻。在基板的顶侧上沉积的薄膜中形成一个或多个特征。在于薄膜中具有一个或多个特征的基板之上沉积介电材料。随后使用蚀刻工艺来蚀刻沉积在于薄膜中具有一个或多个特征的基板之上的介电材料的一部分。有选择地重复介电材料沉积和蚀刻工艺以减小特征的尺寸，直至穿过基板上的薄膜形成良好控制的纳米孔。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 原子 沉积 蚀刻 减小 孔隙 直径 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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