[发明专利]三维存储器阵列

摘要

本发明包含三维存储器阵列。实施例包含：第一多个导电线，其通过绝缘材料彼此分离；第二多个导电线，其经布置以基本上垂直于所述第一多个导电线及所述绝缘材料而延伸且穿过所述第一多个导电线及所述绝缘材料；及存储元件材料，其形成于所述第一与第二多个导电线之间，其中所述第二多个导电线穿过所述第一多个导电线。所述存储元件材料介于所述第一多个导电线中的每一相应者的第一部分与所述第二多个导电线中的第一者的一部分之间并与其直接接触，且介于所述第一多个导电线中的每一相应者的第二部分与所述第二多个导电线中的第二者的一部分之间并与其直接接触。