[发明专利]单电平单元高速缓存管理在审
| 申请号： | 201880061492.1 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN111758091A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | K·坦派罗;J·黄;S·A·琼;K·K·姆奇尔拉;A·马尔谢 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G06F12/0868 | 分类号： | G06F12/0868;G06F13/42 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实例中揭示特征为可定制单电平单元SLC及多电平单元MLC配置的存储器装置。SLC存储器单元充当提供SLC层级性能以及拥有MLC存储器单元的存储器装置的存储容量的高速缓存。配置为MLC的单元的比例相对配置为SLC存储装置的单元的比例可为可配置的，且在一些实例中，所述比例在使用期间可基于可配置规则而改变，所述可配置规则基于若干存储器装置度量。在一些实例中，当装置活动低于活动阈值时，所述存储器装置可跳过SLC高速缓存并将数据直接放置到MLC存储装置中以减少电力消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 单元 高速缓存 管理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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