[发明专利]用于磁阻随机存取存储器的复合自由层有效
| 申请号： | 201880061542.6 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN111183480B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | Y-S·崔 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张颖 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于磁阻随机存取存储器的装置、系统和方法。用于存储数据的磁隧道结(350)包括固定层(412)、势垒层(410)和复合自由层(400)。势垒层(410)为设置在固定层(412)和复合自由层(400)之间的OS。复合自由层(400)包括铁磁性非晶形层(406)和平面内各向异性自由层(408)。自旋霍尔效应(SHE)层(402)可耦接到磁隧道结(350)的复合自由层(400)。SHE层(402)可被配置为使得SHE层(402)内的平面内电流在复合自由层(400)中产生自旋电流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁阻 随机存取存储器 复合 自由 | ||
【主权项】：
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