[发明专利]覆氢氧化铝的碳化硅颗粒粉体的制造方法、以及包含该粉体和分散介质的分散体的制造方法有效
| 申请号： | 201880061822.7 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN111132931B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 坪田翔吾;田口创万;芦高圭史;三轮直也 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C01B32/956 | 分类号： | C01B32/956;C09C1/28;C09C3/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明，提供一种制造覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体的方案，所述覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体在SiC颗粒的表面具有包含氢氧化铝的覆盖层。本发明涉及一种覆氢氧化铝的SiC颗粒粉体的制造方法，其具备覆盖工序：将包含SiC颗粒、铝酸钠和水的分散体的pH维持为9～12的范围，形成在SiC颗粒的表面具有包含氢氧化铝的覆盖层的覆盖颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 氢氧化铝 碳化硅 颗粒 制造 方法 以及 包含 分散 介质 散体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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