[发明专利]框架馈入器在审
| 申请号： | 201880061866.X | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111108584A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 长野一昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社新川 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本东京武藏村*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明加热板(11)，将在上表面(11a)上滑行的基板(75)的下侧进行加热；以及加热模块(20)，将加热板(11)进行加热。加热模块(20)具备空气加热流路(25)，将从底面(13b)侧流入的空气加热而从加热板(11)侧流出；加热板(11)具备空气孔(12)，将由空气加热流路(25)所加热的空气从上表面喷出；且从空气孔(12)中喷出的加热空气在加热板11的上侧形成加热空气环境(90)，基板(75)通过加热空气环境(90)而搬送。由此，抑制基板的弯曲变形。 | ||
| 搜索关键词： | 框架 馈入器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
