[发明专利]具有包含高能带隙材料的串驱动器的装置和系统以及形成方法在审

申请号：	201880061883.3	申请日：	2018-08-23
公开（公告）号：	CN111183521A	公开（公告）日：	2020-05-19
发明（设计）人：	刘海涛;黄广宇;C·V·穆利;合田晃;D·C·潘迪;K·M·考尔道	申请（专利权）人：	美光科技公司
主分类号：	H01L27/11556	分类号：	H01L27/11556;H01L29/267;H01L29/36;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/24;H01L21/44;H01L21/425;H01L21/02;H01L21/34
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	王龙
地址：	美国爱***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	一种装置包含串驱动器，所述串驱动器包括位于漏极区与源极区之间的沟道区。所述沟道区、所述漏极区和所述源极区中的至少一个包括高能带隙材料。栅极区与所述高能带隙材料相邻并间隔开。所述串驱动器被配置用于与电荷储存装置阵列(例如，2D NAND或3D NAND)相关联的高压操作。公开了包含所述串驱动器的另外的装置和系统(例如，非易失性存储器系统)以及形成所述串驱动器的方法。
搜索关键词：	具有包含能带材料驱动器装置系统以及形成方法
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