[发明专利]在编程期间预充电之后利用选定字线电压的延迟斜升来减少干扰有效
| 申请号： | 201880062113.0 | 申请日： | 2018-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111133514B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | H-Y·陈;Y·董 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于减少存储器单元的热电子注入类型干扰的存储器装置和相关技术。在一种方法中，在预充电操作之后，包括选定字线(WLn)和WLn的一条或多条漏极侧字线的第一组相邻字线的电压在剩余字线的电压增加之后增加。在另一种方法中，在所述预充电操作之后，所述第一组相邻字线的所述电压分步增加，而所述剩余字线的所述电压连续增加。在另一种方法中，所述第一组相邻字线的所述电压从负电压增加，而所述剩余字线的所述电压从0V增加。在另一方面，可根据所述WLn在多层叠堆中的位置来实现干扰对策。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 期间 充电 之后 利用 选定 电压 延迟 斜升来 减少 干扰 | ||
【主权项】：
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