[发明专利]具有通过对超晶格退火形成的包埋绝缘层的半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201880062180.2 | 申请日： | 2018-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111133582A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | R·J·米尔斯;R·J·史蒂芬森;K·D·维克斯;N·W·科迪;M·赫塔 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法，可包括在半导体衬底上形成超晶格，所述超晶格包括各自的多个堆叠的层组。每个层组可包括多个堆叠的基础半导体单层，其限定出基础半导体部分，以及约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。另外，来自相对的基础半导体部分的至少一些半导体原子可通过其间的至少一个非半导体单层化学健合在一起。该方法可以进一步包括在超晶格上外延形成半导体层，和对所述超晶格退火以便形成包埋绝缘层，在所述包埋绝缘层中至少一些半导体原子不再通过其间的至少一个非半导体单层化学键合在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通过 晶格 退火 形成 包埋 绝缘 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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