[发明专利]用于薄膜晶体管(TFT)装置之半导体图案化技术在审
| 申请号： | 201880062491.9 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN111149233A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 赫维·凡德克霍夫;乔佛瑞·杜瑞 | 申请（专利权）人： | 弗莱克英纳宝有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;史瞳 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种技术，包含以下步骤：在包含用于一或多个晶体管装置之至少源极与漏极导体(4,6)之基体(2)上方形成半导体的至少一第一层(8)，其提供用于所述一或多个晶体管装置的一或多个半导体通道；在所述第一层上方形成界定用于所述一或多个晶体管装置之栅极介电体之至少一部分的第二层(10)；在所述第二层中生成图案，而不沉积任何暂时性材料到所述第二层上；及使用所述第二层中的所述图案来图案化所述第一层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜晶体管 tft 装置 半导体 图案 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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