[发明专利]具有多个阈值电压沟道材料的晶体管结构在审
| 申请号： | 201880062548.5 | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN111344869A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | S·T·马;W·拉赫马迪;G·杜威;M·V·梅茨;H·W·肯内尔;C-Y·黄;J·T·卡瓦列罗斯;A·S·默西;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括第一纳米线晶体管，其具有第一源极和第一漏极以及位于二者之间的第一沟道，其中，第一沟道包括第一III‑V族合金。第一栅极叠层在第一沟道周围，其中：第一栅极叠层的一部分在第一沟道和衬底之间。第一栅极叠层包括与栅电介质接触的栅电极金属。第二纳米线晶体管在衬底上，其具有第二源极和第二漏极以及位于二者之间的第二沟道，第二沟道包括第二III‑V族合金。第二栅极叠层在第二沟道周围，其中，居间材料在第二栅极叠层与衬底之间，居间材料包括第三III‑V族合金。第二栅极叠层包括与栅电介质接触的栅电极金属。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阈值 电压 沟道 材料 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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