[发明专利]在平台区中具有加厚字线的三维存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880063144.8 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN111149206B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | S.K.卡纳卡梅达拉;Y.菅野;R.S.马卡拉;张艳丽;J.刘;M.乔杜里;李耀升 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B43/35;H01L23/522;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种三维存储器器件，三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠体。存储器堆叠结构位于存储器阵列区中，存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括存储器膜和竖直半导体沟道。接触通孔结构位于平台区中并接触导电层中的相应一个导电层。导电层中的每个导电层具有贯穿存储器阵列区的相应第一厚度并包括在平台区内具有大于相应第一厚度的相应第二厚度的接触部分。该接触部分的较大厚度阻止在形成用于形成接触通孔结构的接触通孔腔期间的蚀刻穿过。 | ||
| 搜索关键词： | 平台 具有 加厚 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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