[发明专利]在源极区和漏极区之间包括第一和第二半导体材料的晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201880063155.6 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN111183523A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;H·W·田 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/8234;H01L29/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于在源极区和漏极区之间包括第一半导体材料和第二半导体材料的晶体管的方法、装置、系统和制造品。示例性装置包括晶体管，该晶体管包括：包括镓和氮的第一半导体材料和包括镓和氧的第二半导体材料，其中，第二半导体材料与第一半导体材料相邻。所公开的示例性装置还包括靠近第一半导体材料并且与第二半导体材料间隔开的源极以及靠近第二半导体材料并且与第一半导体材料间隔开的漏极。所公开的示例性装置还包括位于源极和漏极之间的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 源极区 漏极区 之间 包括 第一 第二 半导体材料 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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