[发明专利]具有环形阻挡电介质的三维存储器器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880063215.4 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN111183520B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | F.周;R.S.马卡拉;R.沙兰戈帕尼;A.拉扎谢卡尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/35;H10B41/41;H01L21/768;H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 穿过位于衬底上方的绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体来形成存储器开口。通过相对于所述绝缘层使所述牺牲材料层横向凹陷来围绕所述存储器开口来形成环形凹陷部。通过选择性沉积工艺在所述环形凹陷部中的每个凹陷部内的所述牺牲材料层的凹陷侧壁上方形成环形金属部分。通过采用自组装材料层来选择性地在环形金属部分的内侧壁上形成环形背侧阻挡电介质，所述自组装材料层覆盖绝缘层的表面并抑制电介质材料沉积在所述绝缘层的表面上。在存储器开口中形成存储器堆叠结构，并且用导电层替换所述牺牲材料层。所述环形背侧阻挡电介质为用作控制栅极电极的所述环形金属部分提供电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 环形 阻挡 电介质 三维 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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