[发明专利]受控高度的碳纳米管阵列有效

专利信息
申请号: 201880063435.7 申请日: 2018-07-31
公开(公告)号: CN111247094B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 毛鸥;赵安琪;魏兆杰;张美杰;郑涛 申请(专利权)人: 江苏天奈科技股份有限公司
主分类号: C01B32/162 分类号: C01B32/162;B01J23/745;B01J23/75;B01J23/755;B01J21/16;B01J37/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李新红
地址: 212000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请公开了包含催化剂的受控高度碳纳米管阵列和与其相关的合成方法。这样的纳米管阵列可以由浸渍在剥离的层状矿物质中以生长碳纳米管阵列的具有一定Fe∶Co∶Ni摩尔比的催化剂粒子制备,其中催化剂的Fe∶Co∶Ni摩尔比用于控制阵列的高度。
搜索关键词: 受控 高度 纳米 阵列
【主权项】:
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