[发明专利]体电流旁路电阻器在审
| 申请号： | 201880064207.1 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN111164763A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | R·P·K·维杜拉;S·格科特佩里;J·穆尔 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H03K17/687;H01L27/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了射频集成电路(RFIC)。该RFIC包括开关场效应晶体管(FET)，该FET包括源极区、漏极区、体区和栅极。该RFIC还包括耦合在栅极与体区之间的体旁路电阻器(Rb)。该RFIC还包括耦合在栅极与体区之间的栅极隔离电阻器(Rg)。该RFIC还包括耦合在体旁路电阻器与栅极隔离电阻器之间的二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 旁路 电阻器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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