[发明专利]用于集成电路的线中屏蔽栅在审
| 申请号： | 201880064420.2 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111183516A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 戈立新;杨斌;陆叶;鲍军静;P·奇达姆巴拉姆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种集成电路(IC)中的线中(MOL)屏蔽栅。在IC中的MOL层中制造一个或多个金属电阻器来减少半导体区域中的栅极到漏极寄生电容。通过在MOL层中制造金属电阻器，金属电阻器可以被定位为靠近半导体器件，以在不增加当前制造工艺的成本或缺陷的情况下，更有效地减小半导体器件的寄生电容。当前的制造工艺可以用于在MOL中创建触点来制造金属电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 屏蔽 | ||
【主权项】：
暂无信息
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