[发明专利]等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201880064580.7 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN111164739A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 岩下伸也;菊地贵伦;野吕尚孝;长谷川敏夫;守屋刚 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23C16/44;C23C16/505;H01L21/31;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使为了进行等离子体处理而生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。然后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置，将腔室主体的内部空间之中的气体和颗粒排出。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
