[发明专利]具有氮化硼合金接触层的III族氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880067455.1 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111279495B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 孙海定;李晓航 | 申请（专利权）人： | 阿卜杜拉国王科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L29/45;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 沙特阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于形成III族氮化物半导体器件的方法，所述方法包括确定第一III族氮化物接触层和第一金属接触的功函数。第一III族氮化物接触层的功函数是基于第一III族氮化物接触层的III族元素确定的。基于所确定的第一III族氮化物接触层的功函数和第一金属接触的功函数，确定应该调节的第一III族氮化物接触层的功函数。形成III族氮化物半导体器件包括：与第二III族氮化物接触层相邻的第一III族氮化物接触层、布置在第一III族氮化物接触层上的第一金属接触、以及布置在第二III族氮化物接触层上的第二金属接触。所形成的III族氮化物半导体器件的第一III族氮化物接触层是具有一定量的硼的氮化硼合金，以相对于基于第一III族氮化物接触层的III族元素确定的第一金属层的功函数来调节第一III族氮化物接触层的功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 合金 接触 iii 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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