[发明专利]介电膜的几何选择性沉积有效
| 申请号： | 201880067801.6 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111247269B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·M·豪斯曼;亚历山大·R·福克斯;大卫·查尔斯·史密斯;巴特·J·范施拉文迪克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/56;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/32;H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于在图案化特征的侧壁表面上选择性地沉积材料的方法。在一些实施方案中，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有从所述衬底的表面凹陷的特征。所述特征具有底部和从所述底部延伸的侧壁。使用原子层沉积(ALD)处理在所述特征上沉积保形膜。通过使所述衬底暴露于定向等离子体而使沉积在所述底部上的所述保形膜改性，使得在所述底部上的所述保形膜比在所述侧壁上的所述保形膜较不致密。优先对于沉积在所述特征的所述底部上的已改性的所述保形膜进行蚀刻。还提供了用于在图案化的特征的水平表面上选择性沉积的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 介电膜 几何 选择性 沉积 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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