[发明专利]用于半导体晶片制造的无匹配器等离子体源有效
| 申请号： | 201880067919.9 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111247620B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 龙茂林;王雨后;里基·马什;亚历山大·帕特森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了无匹配器等离子体源。无匹配器等离子体源包括控制器，该控制器耦合到敏捷式DC轨道，以控制在半桥晶体管电路的输出处生成的放大方波形的形状。无匹配等离子体源还包括半桥晶体管电路，该半桥晶体管电路用于生成放大的方波形，以向等离子体室的电极(例如天线)供电。无匹配等离子体源还包括位于半桥晶体管电路和电极之间的电抗电路。电抗电路具有消除电极的电抗的高质量因子。没有射频(RF)匹配器以及将无匹配器等离子体源耦合到电极的RF电缆。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 制造 配器 等离子体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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