[发明专利]用于控制将由设置在半导体上的结构吸收的具有预定波长的辐射的量的方法在审
| 申请号： | 201880068066.0 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111226304A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | K·程;K·T·阿拉维;A·D·威廉斯;C·J·麦克唐纳;K·黄 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/45;H01L21/263;H01L21/285 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提供与半导体的欧姆接触部的层堆叠体，该堆叠体的下部金属层被设置为与该半导体直接接触；以及被设置在下部层之上的辐射吸收控制层，该辐射吸收控制层用于在用于使所述堆叠体与所述半导体合金化以形成欧姆接触部的工艺期间，在使所述堆叠体暴露于辐射期间控制将在所述辐射吸收控制层中吸收的辐射能量的量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 设置 半导体 结构 吸收 具有 预定 波长 辐射 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
