[发明专利]包含具有贯穿衬底通孔结构的键合芯片组件的三维存储器件及其制造方法

摘要

多个半导体芯片可以通过铜‑铜键合来键合。多个半导体芯片包括逻辑芯片和多个存储器芯片。逻辑芯片包括外围电路以用于多个存储器芯片内的存储器件的操作。存储器芯片可以包括前侧键合焊盘结构、后侧键合焊盘结构以及在成对的第一侧键合焊盘结构和后侧键合焊盘结构之间提供导电路径的多组金属互连结构。因此，电控制信号可以通过位于逻辑芯片和上覆的存储器芯片之间的至少一个中间存储器芯片在逻辑芯片和存储器芯片之间竖直传播。可以将后侧键合焊盘结构形成为延伸穿过相应的半导体衬底的集成贯穿衬底通孔与焊盘结构的部分。