[发明专利]用于在外延沉积之前进行表面制备的方法和设备有效
| 申请号： | 201880069061.X | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN111279453B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | S.E.萨瓦斯;M.A.萨尔达纳;D.L.科森汀;H.Y.金;S.塔米尔马尼;N.穆克吉;M.Z.卡里姆 | 申请（专利权）人： | 艾克斯特朗欧洲公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 德国黑*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在预处理过程中，氢等离子体用于从晶片的表面去除污染物(例如氧、碳)。氢等离子体可以通过细长的注入器喷嘴注入等离子体腔室。使用这种细长的注入器喷嘴，具有显著径向速度的氢等离子体流在晶片表面上流动，并将挥发性化合物和其他污染物从晶片表面传输到排气歧管。由晶体硅或多晶硅制成的保护衬套可以设置在等离子体腔室的内表面上，以防止污染物从等离子体腔室的表面释放。为了进一步减少污染物的来源，可以采用由硅制成的排气限制器，以防止氢等离子体流入排气歧管，并防止挥发性化合物和其他污染物从排气歧管流回到等离子体腔室中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 外延 沉积 之前 进行 表面 制备 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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