[发明专利]保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201880069262.X | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111279468B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 小桥力也;稻男洋一 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;B32B27/16;C09J7/20;C09J7/30;C09J133/08;C09J11/04;C09J11/06;H01L21/301;H01L21/52;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;敖莲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)，将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值(G2)相对于将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值(G1)的降低率(G1‑G2)/G1×100为30％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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