[发明专利]亚微米间距金属层上的模拟电容器在审
| 申请号： | 201880069595.2 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111448657A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古鲁·马图尔;斯蒂芬·阿隆·迈斯纳;石·昌·张;柯琳妮·安·加涅特 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种微电子装置(100)包含电容器(112)，所述电容器(112)具有：互连件金属下板(114)；电容器电介质层(116)，其具有下二氧化硅层(130)、氮氧化硅层(132)和上二氧化硅层(134)；和所述电容器电介质层(116)上方的上板(118)。所述氮氧化硅层(132)在248纳米的波长下具有1.85到1.95的平均折射率。为了形成所述微电子装置(100)，在互连件金属层上方依次形成所述下二氧化硅层(130)、所述氮氧化硅层(132)和所述上二氧化硅层(134)。形成所述上板(118)，从而在所述互连件金属层上方留下所述下二氧化硅层(130)、所述氮氧化硅层(132)和所述上二氧化硅层(134)的至少一部分。使用所述氮氧化硅层(132)作为抗反射层，由光刻胶在所述上板(118)和所述氮氧化硅层(132)上方形成互连件掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 间距 金属 模拟 电容器 | ||
【主权项】：
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