[发明专利]多光谱等离子热成像装置在审
| 申请号： | 201880069716.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111279487A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | A·法尔克;汉述仁;D·B·法梅;G·图勒弗斯基;A·阿弗扎利-阿达卡尼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种由计算机实现的方法和包括等离子体材料层和处理器的热成像设备。等离子体材料层接收来自物体的电磁辐射，并在多个波长下生成电磁辐射的辐射测量。处理器根据辐射测量确定物体的发射率和温度，并根据确定的发射率和温度形成物体的基于热的电子图像。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 等离子 成像 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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